Samsung Foundry, 3nm üretim teknolojisi için gate-all-around (GAA) transistörleri kullanan ilk çip üreticisi olmasına rağmen klasik güç dağıtım teknolojisini kullanmaya devam ediyordu. Şirket, 2nm üretim süreciyle beraber arka taraftan güç dağıtım ağını (BSPDN) benimseyecek. Rapor, arka taraf güç dağıtımıyla elde edilen umut verici sonuçların, Samsung’un BSPDN’yi ticari bir süreç teknolojisine uygulamayı yeniden düşünmesine yol açtığını iddia ediyor. Samsung’un 1.7nm düğümüyle bu teknolojiye geçeceği iddia ediliyordu ancak şirketin yol haritasına göre 2025 yılında 2nm (SF2) süreciyle geçiş yapacak. Ancak raporda önemli bir nokta var. Samsung’un mevcut yol haritası herhangi bir 1.7nm süreci içermiyor ve yalnızca SF2, SF2P ve SF1.4 (1.4nm) teknolojileri yer alıyor.
Şirketin 2023 ortalarında VLSI Sempozyumunda sunduğu makaleye göre Samsung, iki Arm tabanlı test çipi için arka taraftan güç dağıtımını uyguladı ve zar alanında %10 ve %19 azalma elde etti. Arka taraftan güç dağıtımı, daha yüksek performans ve güç tasarrufu sağlamak için daha fazla güç aktarabilen daha kalın, daha düşük dirençli kablolara olanak tanıyor. Samsung makalede, kablo uzunluğunda %9,2’lik bir azalmayla performansın arttığını belirtiyor.
Rapor doğruysa, SF2’ye arka taraf güç dağıtım ağının dahil edilmesi, Samsung’u 2025’te Intel’in 20A ve 18A üretim teknolojilerine ve ayrıca 2026-2027’de TSMC’nin N2P sürecine karşı önemli ölçüde daha rekabetçi hale getirecek. Ayrıca gelecek Samsung işlemcilerinde de önemli performans ve verimlilik gelişmeleri görebiliriz.
